Bugün Samsung Electronics, Gate-All-Around (GAA) transistör mimarisini kullanan 3 nanometre (nm) çiplerin üretiminin başladığını açıkladı. Şirket, 5nm işlemiyle eşleştirildiğinde 3nm işleminin yüzde 45 daha az güç tükettiğini; yüzde 23 oranında iyileştirilmiş performans sunduğunu; yüzde 16 daha küçük yüzey alanına sahip olduğunu söyledi. Samsung’un 3nm çipi, önceki FinFET transistör mimarisine kıyasla voltaj seviyesini düşürürken; elektriğin geçmesi için kapılara daha büyük kanallar yerleştiren çok yönlü bir geçit (GAA) transistör mimarisi içerir.
Terimden de anlaşılacağı gibi, kapılar kanalları tamamen GAA’da çevreler ve kanalların dört tarafının da kullanılması gerçeği, yalnızca üç tarafı kullanan FinFET’e kıyasla kapılardan daha fazla miktarda sürücü akımının geçmesini sağlar.
Firma ayrıca, müşterisine en üst düzeyde memnuniyet sağlamak için kanal genişliğini değiştirmesine izin veren 3nm işlem düğümünün tasarımının uyarlanabilirliğinden de bahsetti. Samsung ayrıca güç kullanımı; performans ve yüzey alanı açısından daha iyi olacak ikinci nesil bir 3nm işlem düğümü üzerinde çalıştıklarını söyledi.
İlginizi Çekebilir: Microsoft’un Girişimcilik Programı GrowthX Accelerator, 2. Dönem Mezunlarını Verdi
Samsung Dünyada Bir İlki Başardı
Bellek işlemci üretimi Samsung’un uzmanlık alanıdır; şirket dünyanın en büyük ikinci dökümhanesi ve en büyük sözleşmeli yonga üreticisidir. Sektördeki en büyük dökümhane olan Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) ile bunu yapmadan önce daha gelişmiş süreç düğümlerini benimsemek gerçekten rekabet ediyor. TSMC, kendi 3nm işlem düğümünü kullanarak seri üretime başlamaya hazırlanıyor. Samsung’a göre, şu anda ilk 3nm işlem düğümü kullanılarak üretilen çipler, yüksek performanslı, düşük güç tüketen bir bilgi işlem uygulaması içindir.
Müşterilerin daha kısa sürede daha yüksek bir ürün mükemmelliği düzeyine ulaşmalarına yardımcı olmak için Samsung Electronics, 2021’in üçüncü çeyreğinde denenmiş ve gerçek bir tasarım altyapısı sunmaya başladı. Bu, Samsung Gelişmiş Döküm Ekosistemi (SAFE) ortakları gibi Ansys, Cadence, Siemens ve Synopsys hazırlanmak için çok çalıştı.
Şirket, gelecekte düğümün mobil CPU’lara uygulanabilirliğini genişletmeyi hedefliyor. Şirket, şu anda hangi müşteri için toplu miktarlarda 3nm çip ürettiğini açıklamadı. İki şirket arasındaki en son 3nm savaşı, Qualcomm gibi büyük müşterilerden gelecek yıl amiral gemisi cihazlarda kullanılacak mobil CPU’lar için daha fazla sipariş alabilecek kişilere inecek.
Açılışla ilgili olarak, Samsung Electronics’in Başkanı ve Döküm İşleri Başkanı Dr. Siyoung Choi şunları söyledi: “Döküm endüstrisinin ilk High-K Metal Kapısı, FinFET ve EUV gibi yeni nesil teknolojilerin üretime uygulanmasında liderliğimizi göstermeye devam ederken Samsung hızla büyüdü. MBCFET ile dünyanın ilk 3nm süreci ile bu liderliği sürdürmeye çalışıyoruz. Rekabetçi teknoloji geliştirmede aktif inovasyona devam edeceğiz ve teknolojinin olgunluğunun elde edilmesini hızlandırmaya yardımcı olan süreçler oluşturacağız.” dedi.
